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厂商型号

FJP5555ATU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT

内部编号

3-FJP5555ATU

#1

数量:1997
1+¥4.6496
10+¥3.6035
100+¥2.3248
1000+¥1.8599
2000+¥1.5727
5000+¥1.5111
10000+¥1.5043
25000+¥1.4154
50000+¥1.3949
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:1676
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FJP5555ATU产品详细规格

工厂包装数量 2000
集电极 - 发射极饱和电压 1.5 V
直流电流增益hFE最大值 40
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 14 V
品牌 Fairchild Semiconductor
封装/外壳 TO-220-3
集电极 - 发射极最大电压VCEO 400 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 1.05 kV
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 75 W
集电极最大直流电流 5 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

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